Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
119991, Россия, г. Москва, Ленинский пр. 31
Закрыть
,
Пашкова О. Н.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
119991, Россия, г. Москва, Ленинский пр. 31
Закрыть
,
Саныгин В. П.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
119991, Россия, г. Москва, Ленинский пр. 31
Закрыть
Микроcтруктура и свойства марганецсодержащих твердых растворов In1-xGaxSb // НАНОМАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ - VI: Труды VI Международной конференции «Наноматериалы и технологии», V Международной конференции по материаловедению и II Международной конференции по функциональным материалам (22.08.2016 – 26.08.2016, Улан-Удэ). Научный редактор: Дамдинов Б. Б., Сызранцев В. В. , - Улан-Удэ: Издательство Бурятский государственный университет, 2016. - С. 52-56.
Микроcтруктура и свойства марганецсодержащих твердых растворов In1-xGaxSb
Microstructure and Properties оf Mn-containing Solid Solutions In1-xGaxSb
Исследованы твердые растворы In1-xGaxSb (х = 0,05; 0,1; 0,5; 0,9; 0,95), легированные марганцем. Установлено, что в образцах состава In0,95Ga0,05Sb и In0,05Ga0,95Sb образуется однородный твердый раствор замещения с внедренными марганецсодержащими кластерами, которые располагаются в основном на дефектах кристаллической решетки – межзеренных границах и дислокациях.
Solid solutions In1-xGaxSb (х = 0,05; 0,1; 0,5; 0,9; 0,95) doped with manganese have been investigated. It has been found out that the sample composition In0,95Ga0,05Sb and In0,05Ga0,95Sb formed a homogeneous solid solution replace with embedded manganese clusters, which are located mainly in the crystal lattice defects − crystal boundaries and dislocations.
magnetic semiconductors, semiconductor solid solutions, ferromagnetics, microstructure, spintronics.
1. Маренкин С.Ф., Изотов А.Д., Федорченко И.В., Новоторцев В.М. Синтез магнитогранулированных структур в системах полупроводник–ферромагнетик // Журн. неорган. химии. – 2015. – Т. 60. – № 3. – C. 343–348.
2. Marenkin S.F., Trukhan V.M., Fedorchenko I.V. Magnetic and Electrical Properties of Zn3P2 + MnP Materials // Inorg. Mater.– 2013. – V. 58. – № 6. – P. 545–549.
3. Новоторцев В.М., Кочура А.В., Маренкин С.Ф. и др. Ферромагнетизм сплавов InSb c Mn // Журн. неорган. химии.2006.Т. 51. № 10. С. 1729–1733.
4. Pashkova O.N., Izotov A.D., Sanygin V.P., Filatov A.V. Cluster Magnetism in Doped InSb // Russ. J. Inorg.Chem. – 2014. – V. 59.- № 7. – P. 688–691.
5. Kochura A.V., Aronzon B.A., Lisunov K.G., Lashkul A.V.,Sidorenko A., De Renzi R., Alam M., Kuzmenko A.P., Lahderanta
E. Structural and Magnetic Properties of In1–xMnxSb: Effect of Mn Complexes and MnSb Nanoprecipitates // J. Appl. Phys. – 2013. – V. 113. – P. 083905.
6. Саныгин В. П., Филатов А. В., Изотов А. Д., Пашкова О. Н. Дислокации в InSb, легированные марганцем // Неорган.материалы. – 2012. – Т. 48. – № 10. – С. 1103 – 1109.
7. Саныгин В. П., Тищенко Э. А., Ши Дау Хьеу, Изотов А. Д. Концепция примесного дислокационного магнетизма в полупроводниковых соединениях III-V // Неорган. материалы. – 2013. – Т. 49. – № 1. – С. 8 – 16.
8. Tsaur S.C., Kou S.// J. Crystal Growth. – 2003. – V. 249. – № 3. – P. 470 – 476.
9. Stringfellow G.B. // J. Phys. Chem. Solids. – 1972. – V. 33. – № 3. – P. 665 – 667.
10. Blom G.M., Plaskett T.S. // J. Electrochem. Soc. – 1971. – V. 118. – № 11. – P.1831 – 1834.
11. Пашкова О.Н, Изотов А.Д, Саныгин В.П.// Известия Академии инженерных наук им. А.М. Прохорова. – 2016. – № 2. (в печати).
12. Комплекс программ PDWin для рентнгендифракционных исследований. НПП «Буревестник». ОАО. 2010.