ОСОБЕННОСТИ ТЕРМОДИНАМИКИ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЧАСТИЦ: ЯНУС-ПОДОБНЫЕ TaSi2/Si И ИХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА // Инновационные технологии в науке и образовании: материалы IV Международной научно-практической конференции (28.08.2015 – 30.08.2015, Улан-Удэ). Научный редактор: С. Л. Буянтуев, Ма Тун Цай, Ответственный редактор: Е. Р. Урмакшинова, - Улан-Удэ: Издательство Бурятского государственного университета, 2015. - С. 167-174.
ОСОБЕННОСТИ ТЕРМОДИНАМИКИ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЧАСТИЦ: ЯНУС-ПОДОБНЫЕ TaSi2/Si И ИХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
FEATURES OF THE THERMODYNAMICS OF NANOPARTICLES FORMATION: JANUS-LIKE TaSi2/Si AND THEIR ELECTRO-PHYSICAL PROPERTIES
В статье описан механизм возникновения и формирования наночастиц TaSi2/Si в условиях совместного испарения и конденсирования атомов кремния и тантала. Показано, что формирование наночастиц зависит от химического взаимодействия компонентов в твердом состоянии. Тонкая структура на границе раздела двух фаз означает, что образующийся контакт Шоттки невосприимчив к различным внешним воздействиям (высокотемпературным, химическим и т. д.), следовательно, достигается устойчивая работа диодов Шоттки. Эти предположения требуют проведения дополнительных исследований методами электронной микроскопии с высоким разрешением и электронной дифракции.
Использование янус-подобных наночастиц приводит к возможности применения в качестве объектов с уникальными электрофизическими свойствами в электронных приборах. Наличие барьера Шоттки в янус-подобных наночастицах TaSi2/Si может обуславливать наличие у них еще одного уникального
свойства — нелинейной проводимости.
The article is devoted to the mechanism of occurrence and formation of nanoparticles
TaSi2/Si in the conditions of joint evaporation and condensation of silicon atoms
and tantalum. It is shown that the formation of nanoparticles depends on the
chemical interaction of the components in the solid state. The use of the Janus-like
nanoparticles leads to possible applications in electronic devices, as objects with
unique physical properties. The presence of the Schottky barrier in the Janus-like
nanoparticles TaSi2/Si could be due to the presence of another unique property of
nonlinear conductivity.
Eutectic, chemical compounds, tantalum silicide, Janus-particle, a solid solution, crystallization, the Schottky barrier.
1. Georgios A. Sotiriou, Hir Ann M., Lozach Pierre-Yves, Teleki A., Krumeich F., and Pratsinis Sotiris E. Plasmonic biocompatible silver-gold alloyed nanoparticles // Chem. Mater. 2011. № 23(7). Рp. 1985–1992.
2. Fu X., Liu J., Yang H., Sun J., Li X., Zhang X., Jia Y. Synthesis of carbon-titania
composite and its application as catalyst support // Materials Chemistry and Physics. 2011.
V. 130. P. 334–336.
3. Ravindra N. M., Jin L., Ivanov D., Menta V. R., Dieng L. M., Popov G.,Gokce O. H., Grow J., Fiory A. T. Electrical and Compositional Propereties of TaSi2 Films // J. of Electronic Materials. 2002. V. 31. № 10. P. 1074–1079.
4. Hao Chen. Infrared and x-ray studies of the galactic center // Dissertation. DAI-B
67/11, p. 6668, May 2007. University of Illinoice at Urbana-Champaign.Publication Number
324814.
5. Номоев А. В., Бардаханов С. П. Синтез и механизм образования янус-подобных наночастиц силицида тантала-кремния (TaSi2/Si) // Плазменная эмиссионная электроника: тр. IV Междунар. Крейнделевского семинара (г. Улан-Удэ, 25–30 июня 2012 г.)/ под ред. А. П. Семенова. Улан-Удэ, 2012. С. 190–193.
6. Synthesis, Characterization, and Mechanism of Formation of Janus-Like Nanoparticles of Tantalum Silicide-Silicon (TaSi2/Si) / A. Nomoev at all // J. Nanomaterials, 2015. P. 26–35.
7. Gulbransen E. A., Andrew K. F., Brassart F. A. Oxidation of silicon at high temperatures
and low pressure under flow conditions and the vapor pressure of silicon // J. Electrochem.
Soc. 1966. № 113. P. 834–837.
8. Schlesinger M. E. The Si-Ta (Silicon-Tantalum) System // University of Missouri-Rolla Jommal of Phase Equilibria. 1994. Vol. 15, № 1. P. 90–95.
9. Диаграммы состояния двойных металлических систем / под ред. Н. П. Лякишева. М.: Машиностроение, 1997. Т. 2. 1024 с.
10. Chunjuan Cui, Jun Zhang, Lin Liuand Hengzhi Fu. Mechanical Properties of the TaSi2 Fibers by Nanoindentation // J. Mater. Sci. Technol. 2010. № 26(1). С. 65–68.
11. Rajanikanth V. Joshi, Simulation of current-voltage Characteristics in Schottky barrier
and MOS device stuctures, MS project report, NJIT, Unpublished, 2000.