МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОТРАНЗИСТОРА С ПОМОЩЬЮ MoS2 КАНАЛА // НАНОМАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ: Труды международной молодежной школы-семинара по современным проблемам материаловедения (22.08.2016 – 26.08.2016, Улан-Удэ). Научный редактор: Дамдинов Б. Б., - Улан-Удэ: Издательство Бурятский государственный университет, 2016. - С. 179-183.
МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОТРАНЗИСТОРА С ПОМОЩЬЮ MoS2 КАНАЛА
NANOTRANSISTOR MODELING WITH CHANNEL
This work supported be grants from the Scientific computation is using communicable network(SST_031/2015).
Моделирование транспортных свойств полупроводникового носителя на основе модели дрейфа-диффузии является одним из передовых в вычисли- тельной электронике. P-n переход между материалами с различным типом проводимости может создать внутреннее электрическое поле, которое отвечает за разделение пар зарядов электрона и дырки. Распределение электрического поля в обедненном слое может быть получено путем решения уравнения Пуассона. Хотя это уравнение не имеет аналитического решения, численное решение предлагает более глубокое понимание структуры, достигает полного контроля над различными параметрами и определяет роль этих параметров в процессе работы устройства. Молибденовые дихалькогениды принадлежат к большому семейству слоистых переходных металлов дихалькогенидов, кристаллическая структура которых имеет шестиугольную упаковку атомов.
Modeling of semiconductor carrier transport properties based on the drift- diffusion model is one of emerging activity of computational electronics. The p-n junction between materials with different type of conductivity can set up an internal electric field, which is responsible for separation of charge pairs electron and hole. The distribution of electric field in the depletion layer can be obtained by solution of Poisson's equation. Although this equa- tion does not appear to have an analytical solution, numerical treatment of- fers a deeper comprehension of the structure, achieving a complete control on the various parameters and defining their role in the device operation. The molybdenum dichalcogenides belong to the large family of layered tran- sition metal dichalcogenides whose crystal structure from the stacking of sheets of hexagonally packed atoms.